作为投资者，当我们分析一项工程的前景时，必须要从客观上考虑工程的重要性。它对于工程方越是意义重大，工程方的意志就越坚定，做出成果的可能就越高；如果工程方的意愿本身就不强，那么整项工程就没有跟踪、分析的价值。面对“国产替代”这项工程，就是要分析其对中国政府和企业的意义。

1.1重要性

第三次科技革命将人类文明带入了信息产业时代。信息技术的广泛应用给我们带来了更高效稳定的通讯、更精确迅速的计算，极大重塑了人类社会的生产生活形态。而信息技术产业的最重要的硬件基石，就是半导体产业。现代半导体产业利用高纯单晶硅等具有半导体特性的原料加工成集成电路、分立器件、光电器件、传感器等产品，并广泛应用于消费电子、汽车电子、光伏、航天航空、国防等等经济上前景广阔、政治上至关重要的领域。

图一：半导体产业链简图

从上图可以看出，对于中国来说，半导体产业对于国家长治久安、经济转型升级、民族伟大复兴，都有重要意义。中国经济目前最具希望的、也最具优势的新兴产业，如：光伏等新能源、汽车电子、云计算、5G等高性能通讯、人工智能等，无一例外都是半导体产业链的终端应用。如果能实现半导体产业链的自主可控，进而促进这些下游朝阳产业的蓬勃发展，中国就很有希望完成经济结构转型升级、实现长期可持续发展，进而实现中华民族伟大复兴。而半导体材料和装备，尤其是半导体设备，作为半导体产业的上游部分，是制约和驱动半导体产业技术进步的核心产业，对于中国长期发展具有重大战略意义。

1.2必要性

今天的中美关系已经是结构性矛盾，长期博弈必然会不断加码。从2010-2018年的以代理人为主的地缘战略摩擦，到2018年的正面贸易战，从一开始就以华为中兴事件为标志伴随着科技战阶段，未来毫无疑问还将面临越发激烈的金融战，甚至有爆发热战的风险。在这一过程中，中国的软肋——半导体行业中的集成电路制造，成为了被“卡脖子”的关键点。集成电路，俗称芯片，是半导体产业最主要的产品，也是驱动现代经济体运转的基本细胞。

图二：2022世界半导体产业市场规模预测（亿美元）

如果以历史为类比，这一格局就像上世纪六十年代美国利用原子弹优势对中国进行核讹诈：一方面，中国的社会经济已经高度信息化，这给我们带来了数十年的高速增长，但也使我们的经济发展严重依赖芯片这一信息社会的基本细胞，一旦在失去充足的芯片供应，许多行业将会停摆甚至大幅衰退，其杀伤力不亚于核弹袭击；另一方面，中国在终端应用方面世界领先，但在芯片制造领域远远落后，缺乏自主生产所需芯片的能力，导致在对手利用芯片威胁、制裁我们的时候，毫无还手之力。从下图可以看到，随着中国经济的发展，集成电路进口额结节攀高，占总进口额比重也越来越高，现在已经成为中国最大的单项进口商品，充分体现出中国对于外国芯片供给的依赖。

图三：中国集成电路进口额

面对这样的危局，可以想见中国的应对方式也会类似当年面对核讹诈的策略：一方面在政治上表现出无所畏惧，从而吓阻美国，并结合适当让步，尽可能延缓全面脱钩的到来；另一方面，加紧自主研发芯片生产，确保能够自主满足自身大部分需求。鉴于目前卡住中国芯片制造的最主要环节，就是上游的材料设备，尤其是半导体设备还被外国厂商垄断，本土技术工艺无法满足自身生产需要，因此，半导体设备领域的“国产替代”将会成为重中之重。

综上所述，半导体产业，尤其是半导体设备的“国产替代”对于中国政府和企业来说，具有巨大的重要性和必要性：如果能够实现半导体产业自主可控，就能助力优势领域蓬勃发展，为下一个时代的经济发展夺取有利地位；如果无法实现国产替代，将会直接影响到中国的发展和生存，后果极为可怕。因此，可以判定，我国将会以最坚强的意志投入到半导体设备“国产替代”这一事业中，作为投资者，也将从中发现巨大机会，值得深入研判分析。

“国产替代”作为一项大工程，存在很多不同的战略取向，牵涉许许多多的领域，作为投资者，需要关注哪个战略方向最有机会，才能指导有限的资金进行正确配置。

2.1 全力追赶每一步的先进制程

最符合直觉的战略路径无疑就是追随国际龙头已有的成熟清洗的技术路线，一点点积累自主研发的技术储备，利用自身后发优势提升研发效率，逐渐追上，甚至赶超龙头厂商的先进制程。目标是将本国芯片竞争力提升到能够正面击败海外厂商的程度，从而夺取下游产业，如手机等消费电子的优势地位。

一开始，集成电路的性能进步源自尺寸的缩小，方法就是不停地压缩芯片面积，因为面积是尺寸的平方，因此面积每缩小一半，尺寸就变为0.7左右。纯粹从技术上看，技术节点的数字为：130nm、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、7nm、5nm、3nm、2nm等等，会发现是一个大约以0.7为比的等比数列。现在，这只是一个命名的习惯，只要芯片的实际性能达到理论要求，就可以被认为达到了某一技术节点，跟实际尺寸未必一致。而半导体设备的技术节点则可以被定义为用它来制造的芯片的技术节点。

2.1.1 可行性

虽然未来3-5年，国有半导体产业链深度整合带来的技术反馈增加、明确的技术路径，以及国家资源向半导体材料设备领域的倾斜，使得中国半导体设备厂商有机会加速技术突破，但是，总的来说，要想实行亦步亦趋的追赶战略，仍然面临着许多的困难。

一方面，目前中国半导体设备厂商的技术水平距离国际先进水平差距很大，核心设备普遍差距达到两代技术节点。以光刻机为例，ASML的最先进技术已经达到13nm分辨率，配合一定的其他技术，可以生产1nm以上芯片；而中国最先进的光刻机分辨率也只有90nm，且产能、最大数值孔径等参数显著落后于ASML的同代技术。

表一：主要半导体制造设备的国内外新进技术对比

以上是从企业官网搜集到的主流产品技术水平，可以发现，在国际先进制程已经进入5-7nm时代的背景下，中国绝大部分前道设备的技术水平还没有或者刚刚摸入14nm制程的门槛，本身差距就极为巨大，而国际前沿厂商的研发能力、产业环境都远好于国内厂商，因此，即使真的能够追上国际先进水平，也需要极长时间的积累，在可预测的未来3-5年内，几乎没有改善“卡脖子”问题的希望。

另一方面，中国和半导体设备产业的特殊情况更是使得自己的后发优势并不明显，追赶之路困难重重。

（1）半导体产业技术迭代速度很快，且极为稳定，产生了著名的摩尔定律。摩尔定律是指当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这一规律既是对过去情况的总结观测，也是长期以来半导体厂商用来指导自己技术规划的原则。在摩尔定律下，半导体产业工艺和技术进步又快又稳，一旦落后，很难追赶，往往自己刚突破这一代技术，下一代技术已经被前沿厂商开发出来。拥有技术优势的龙头又能借此赚取巨额的利润并重新投入研发，并进一步稳固自己的客户关系，后发企业则不得不忍着亏损坚持才能继续跟进。可以说，摩尔定律的存在使得在自由市场条件下，先发优势被成倍放大。作为决定半导体产业制程情况的核心因素，半导体材料设备自然也受到摩尔定律影响。

图四：摩尔定律

一直以来，都有观点认为，随着半导体市场技术越来越先进，尤其是材料和设备方面越来越多地触摸到技术瓶颈、甚至是物理极限，摩尔定律将会走到尽头，这会使中国企业的压力减轻，有更大几率赶上国际龙头。应该说，这一说法并非完全没有道理，随着制程的升级，28nm以下单位晶体管成本不降反升，摩尔定律边际效应减弱，但是从技术上讲，摩尔定律仍在发挥作用，平均每2年前沿厂商就将进入下一个技术节点。根据ASML，目前的技术创新足够将芯片制程推进至至少1nm节点，此外，光刻系统分辨率的改进（预计每6年缩小2倍）和边缘放置误差对精度的衡量也将进一步推动芯片尺寸缩小。从整个行业发展路线来看，未来十年甚至更长时间，技术创新将使摩尔定律继续生效。中国半导体产业，尤其是材料设备的追赶前景并不那么乐观。

图五：芯片制程研发时间节点

图六：制程节点对应工艺节点

（2）大陆半导体材料设备产业吸引人才的能力相对不足，想要快速吸收技术外溢的好处并不容易。一方面，中国半导体材料设备企业的体量不大、技术落后，除开中国政府的全力扶持，发展前景其实不确定性很大，很难吸引到全球顶尖人才，理论上需要更多的资金、待遇、荣誉和理想信念补偿，才能得到比较好的吸引力。另一方面，目前上游半导体设备材料行业的薪资也不是特别的高，尤其是半导体材料，在整个半导体产业链中处于中下水平。2021年中国A股半导体行业上市公司中，人均薪酬从高到低依次是数字芯片设计（49.5万元）、模拟芯片设计（48万元）、半导体设备（31.1万元）、半导体材料（16.6万元）、分立器件（16.5万元）、集成电路封测（15.4万元）。其中，数字芯片设计行业人均薪酬增速最快达到30%，模拟芯片设计行业人均薪酬增长27%。可以看出，无论是总量还是增幅，待遇最好的仍然是已经在中国发展成熟、壮大的半导体设计产业，而设备材料行业则相比之下没有那么有吸引力。

图七：半导体子行业人均薪酬（万元）

当然，也需要考虑到，设计行业不需要大量的基层工人，研发人员比重较高，会变相拉高平均薪酬，实际差距未必那么明显，而且随着各方对相关产业的重视增加，更多资源的投入，以及中国本土设备市场的发展速度高于全球平均，这一情况有望在未来3-5年得到改善。

（3）未来十年内，半导体设备行业没有看到颠覆行业生态的技术突破的可能，基本上仍将延续过去数十年一直以来的技术路径进行改进。期望在未来3-5年出现大的生态变动是不现实的。

大部分设备的技术进步路线都是沿着之前的路径向更精准的方向改进，有的甚至会逐渐减少批量操作的情况，不惜增加部分成本。刻蚀/沉积设备中存在ALE/ALD原子层技术作为创新，可以极大增加制造精度，但由于成本过高、效率过慢，只能与原有技术相辅相成。光刻机作为半导体设备中最核心、最重要的技术进步驱动器，绝大部分突破性进展都发生在这一领域，可惜的是，ASML的EUV极紫外光刻技术已经得到全面认可，基本奠定了未来3-5年的光刻机技术思路，而且相比于过去技术难度高了不止一个台阶，期待在光刻机领域“弯道超车”是不现实的。

2.1.2 重要性

在如此困难的局面下努力追赶，最终的目标就是在14nm及以下的先进制程中获得与国际大厂分庭抗礼的能力，从而保证在相应的终端市场中获得更多的收益。

目前，14nm以下先进制程主要应用于消费电子领域，如PC、智能手机等，这些产品的特点是要在体积、重量基本不变（甚至越轻便越好）的前提下追求更高的性能、更低的功耗，而这一需求目前只能由更先进制程的1xnm以下芯片满足。在PC领域，目前普遍采用14-10nm制程的CPU，部分顶尖芯片都在追求个位数，intel于2022年一月发布的酷睿12代是10nm制程，AMD锐龙五代是7nm，苹果最新发布的M1 Ultra已经达到了5nm制程。在智能手机领域，进入5G世代以后，7-5nm更是成为了标配，代表型号如iphone13搭载的A15芯片，华为mate40pro搭载的麒麟9000芯片，都是5nm制程，苹果最新研制的A16预计将采用4nm制程。在制程上亦步亦趋追赶先进，在现阶段最大的意义就是保障中国厂商有能力在消费电子领域保持竞争力，防止再次出现像华为那样明明领先对手却被迫让出市场的情况，在未来分得更大的蛋糕。

然而，全球高端消费电子的市场已经高度饱和，即使考虑到更新换代的驱动，未来增长潜力也相对有限。以占最大份额的智能手机为例，全球智能机销量于2016年达14.7亿部见顶，此后逐年缓降。同时，全球智能机品牌集中度逐年提升，CR6占比从14年的53.85%提升至21年的83.07%。无论从销量还是从市占率角度，智能机市场早已进入存量竞争市场。

图八：智能手机出货量&渗透率

图九：各品牌智能手机出货量

当然，除了已经非常成熟的PC、智能手机市场，以及规模小很多的可穿戴设备市场，消费电子领域未来仍可能出现一些新的机遇，比如基于VR/AR设备的元宇宙等，但是相关市场目前不确定性仍然很大。

2.2突破成熟制程，抓住新窗口优势突围

无论是从国家战略角度，还是从投资机会角度，在最直观的一步步追赶之外，仍然存在着另一条相对而言“另辟蹊径”的战略：不以追逐最极致先进的芯片制程为目标，而是在完全实现成熟制程的国产替代/自主可控之后，在较低的芯片性能基础上，充分利用网络传输、新能源等领域优势，抓住汽车电子和云计算的黄金机遇，开发全新的增长点。

2.2.1 可行性

这里所说的成熟制程，主要是指28-14nm的制程芯片。28nm本身不是摩尔定律下的常规技术节点，而是台积电在2011年开发量产的介于45/40nm和22/20nm制程之间的技术节点。28nm在商业价值上具有极重要意义，在28nm及以上的芯片，只需非常成熟的HKMG工艺即可制造，其造价基本符合摩尔定律要求的每一节点晶体管单价下降一半的规律；但是从28nm往下，摩尔定律的边际效益发生反转，由于需要采用昂贵复杂的FinFET甚至GAAFET工艺（成本上升至少50%），晶体管单价反而在上升。根据TELECOM数据，28nm制程每百万晶体管成本为2.7美分，到了20nm变为2.9美分，5nm则到了惊人的20.4美分，也只有大如智能手机这样的市场才能接受这种成本。

站在这样一个分水岭上，28nm被证明是目前最具性价比的一种芯片制程，其应用极为广泛。TELECOMS认为，目前83%的应用场景都在使用28/14nm以上的成熟制程，而在中国市场，中芯国际判断28nm应用面达70%，龙芯中科技术股份有限公司董事长胡伟武则认为，加上14nm的话，可以应用到90.9%的场景。Omdia则指出OLED驱动器、连线晶片、FPGA、导航系统、4G无线电收发、边缘计算、物联网等领域将长期以28nm为主要芯片。

表二：不同制程芯片应用场景

总的来说，只要能够确保28-14nm制程芯片的自主可控，在未来5-10年最具发展前景的新能源汽车、5G通讯，以及以此为基础的物联网、云计算产业，都可以具备一定的竞争力。28/14nm芯片在面积不变的情况下，性能上不如先进制程，但一方面，考虑到消费电子以外的领域对设备大小和功耗具有更高的容忍度，可以通过创新堆叠封装等技术增强性能，另一方面则需要利用中国优势的网络基础设施质量，通过万物互联和云端、边缘计算，提升芯片使用效率，以此来增强运算能力。

图十：华为申请的芯片堆叠封装专利

2.2.2 重要性

28nm制程凭借其高性价比和广泛应用领域，在半导体产业中地位很高。目前全球前列代工厂商，除台积电外，主要都是依靠28/14nm制程业务获取增长。2021年，中芯国际实现代工收入321亿人民币，其中FinFET/28nm节点的产品占到15.1%，而2020年这一比例才只有8%。IHS Markit预测，到2025年，全球28nm代工营收将占到总代工营收的48%，而在中国大陆，这一比例将高达85%。近年来全球缺芯潮，最大缺口就在28nm，各大主要晶圆厂也在加快扩产。相对应的，28nm的半导体设备的前景本身也极为广阔。

表三：部分28nm扩产计划

除了半导体产业本身以外，更重要的是确保自主可控可以极大减少下游应用场景的发展风险，帮助中国新兴产业做大做强，其中，未来5年最明确的趋势就是新能源汽车。类比手机，2005-2015年智能手机渗透率从5%提升到70%以上，十年时间内诞生一大批消费电子国际化龙头。当前汽车电动化和智能化渗透率已进入5%-20%的提升阶段，2021年全球新能源汽车销量持续超预期，全年销量超650万辆，渗透率达8%，而国内电动化趋势更为明显，2021年全年销量达352.1万台，渗透率达13%。假设22-25年，国内/全球汽车销量年均复合增速3.3%/3%，2025年国内/全球的新能源车销量分别为1063亿台/2524亿台，则渗透率分别可达35%/26%。

图十一：全球新能源汽车渗透率&销量（千台）

图十二：国内新能源汽车渗透率&销量（千台）

综上所述，中国半导体设备如果想通过亦步亦趋跟随国际大厂脚步，一点点追赶的话，不仅面临巨大的技术鸿沟，还受到许多不利因素阻挠，就像在负重爬山，虽然不能说没有赶超的可能，但势必要消耗大量的时间和资源才能看出回报，这将导致中国在未来至少十年内无法摆脱被“卡脖子”的局面。但作为投资者，如果打开思路，不去一味地关注技术节点，而是看到28/14nm成熟制程支撑下的巨大市场潜力，就能在重重困难之中发现新的时代红利。只要能够在28/14nm成熟制程下实现国产替代、自主可控，中国虽然可能在消费电子领域落后一些，甚至可能在遥远的未来失去一些元宇宙之类的风口，却能在优势的传输和新能源技术下把握住汽车电子、万物互联的时代浪潮，前景依然可观。

确定战略方向之后就是具体的执行，对于投资者而言，就是具体考察判断战略的执行情况，并努力判断出未来的前景和时间点。在新能源、云计算突围的战略下，最重要的战术指标无疑就是28/14nm制程芯片的国产替代的现状和展望。

3.1现状——产能不能满足，技术依赖外国

2019年四季度中芯国际宣布开始14nm制程芯片的量产，成为大陆唯一能够生产14nm制程的代工厂。根据TELECOMS报道，其目前28/14nm产能已基本达到设计产能，良率在90%-95%之间。除此以外，大陆其他厂商如华虹半导体和在大陆投资建厂的境外厂商如台积电南京加工厂，也能够生产28nm制程。那么，这些产能能够满足国内旺盛的芯片需求吗？显然是不能的，据央视新闻报道，2019年中国芯片需求占全球市场的三分之一，但总体自给率只有30%，而28nm自给率更低，只有20%左右。在全球的28nm及以上成熟工艺市场中，中国大陆厂商加起来只占不到20%。

图十三：28nm以上成熟工艺市场份额

从技术面上看，目前中芯国际和其他在大陆建厂的半导体厂商的28/14nm生产线仍然需要大量依靠外国进口设备，无法做到自主可控。实际上，根据上文列举的中国大陆主要半导体设备厂商的技术进展情况可知，我国企业在导体刻蚀、介质刻蚀、薄膜沉积、炉式热处理、清洗等前道制造设备上，已经能够实现28nm制程量产，CMP和离子注入设备的28nm制程也已经处在验证过程中，虽然目前产品质量和厂商使用效率都不能和国外相同级别设备相比，但已经具备在未来逐步取代外国产品，逐步实现国产自主可控的能力。

真正阻碍中国28/14nm生产线国产化的地方就在于光刻机。目前中国唯一的光刻机制造商上海微电子2002年才成立，虽然在后道光刻机、面板光刻机、LED及功率器件光刻机等低端光刻机领域已经卓有建树，但在最重要最困难的集成电路光刻机领域，目前最先进设备仍然只能达到90nm分辨率，且产出率低至80片/h，甚至达不过ASML最高精尖的13nm分辨率EUV光刻机的一半产能，根本无法支撑起28/14nm及以上成熟制程的国产化。

表四：上海微电子现有产品型号

虽然上海微电子目前的SSA600系列光刻机用的也是193nmArF光源，但是实际上，要对标TWINSCAN NXT:2000i，不仅仅要增加浸润单元，而且四大子系统也都要进行大幅度的升级。光刻分辨率（R）主要由三个因数决定，分别是光的波长（λ）、镜头半孔径角的正弦值（sinθ）、折射率（n）以及系数k1。在光源波长及k1不变的情况下，要想提升分辨率，则需要提升n或者sinθ值。由于sinθ与镜头有关，提升需要很大的成本，目前sinθ已经提升到0.93，已很难再提升，而且其不可能大于1。所以提升n就显得更为现实。因此，在193nm浸没式光刻机中，需要增加浸润单元，即利用超纯水替换透镜和晶圆表面之间的空气间隙（水在193nm波长时的折射率n=1.44，空气为1），使得光源进入后波长缩短，从而提升分辨率。另外，在半导体光刻过程中，除了光刻分辨率之外，焦深（DOF）也至关重要，大的焦深可以增大刻蚀的清晰范围，提高光刻的质量。而焦深则主要是通过提升NA来改进。同时由于要保持光源经过浸润单元到晶圆的能量不变，需要加大光源的功率，使用60W 6kHz ArF光源；另外，光学系统数值孔径需要变大，由原来90nm光刻机的NA0.75提升到NA1.35，这其中需要加入具有特别构造的镜片；运动平台速度也要更快。最终可以使得光刻机整体的分辨率提升到了38nm。可以说，相比之前的90nm光刻机，上海微电子的“28nm光刻机”的提升是属于“大跃进”级别的。

除了上海微电子自身的系统集成问题之外，浸润单元或者关键子系统可能也没完全准备好。193nm浸没式光刻机所需准分子激光光源系统，主要由中科院光电研究院负责研发，由北京科益虹源负责产业转化。有消息显示，此前国产40W 4kHz ArF光源已经交付，不过“28nm 光刻机”所需的60W 6kHz ArF光源似乎仍在研发攻关当中。在曝光光源系统方面，2018年3月，国科精密承担的“高NA浸没光学系统关键技术研究”项目在上海通过正式验收，目前28nm节点ArFi光刻机曝光光学系统还在研制。浸液系统主要由浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室和浙江启尔机电负责，2018年底浙江启尔机电投资5亿元的“光刻机浸液系统产品研制与中试基地”目前已经完成建设。物镜系统主要由中科院长春光机所（现北京国望光学）负责。投影物镜是精密光学部件，直接决定着曝光的成像质量，必须保证投影物镜在工作状态中的高度稳定。浸没液体相比于传统气体介质具有较高粘度，粘性力的增强，使得压力驱动下浸没液体对投影物镜的作用力将变得越来越不可忽视。作用在物镜表面的应力如果过大将使物镜产生变形和位移，并引起双折射与光路失真，如缺乏有效控制，将造成曝光成像的缺陷。目前国内在NA1.35浸润式物镜系统的研发上进展如何尚不清楚。在双工件台方面，华卓精科突破了当前业内先进的六自由度磁浮微动台技术，实现了对微动台高阶柔性模态的抑制，使其运动精度优于2nm，大大提高了双工件台的分辨率。有消息显示，2019年底，华卓精科的浸没式光刻机双工件机台已经刚通过了02专项的CDR里程碑评审，研发和试产基地也完成了建设。

图十四：中国光刻机研发单位

3.2未来——产能增长迅速，技术需要积淀

那么，28/14nm制程国产替代是否也是短期无望了呢？究竟要到什么时候才能实现国产完全替代呢？

从市场面上看，大陆境内28nm产能扩张极快，中芯国际于2022年一季度的每月产能折合12英寸晶圆可以达到28万片，考虑到目前已经确定正在建设中的4万片产能28nm中芯深圳、10万片产能28nm中芯东方、10万片产能28nm中芯京城，到2024年，中芯国际的芯片总产能将至少增加一倍，28nm产能更是可能扩充近7倍。再加上台积电、联发科、华虹半导体等厂商的扩产，预计到2024年，大陆28nm芯片自给率大概率在50%-60%之间，之前国家定下的到2025年自给率达到70%的目标也很有可能达到。

从技术面看，除光刻机以外的其他设备都在稳步推进中，只需要考察国产光刻机的研制、投产情况即可。为此，需要首先考察国际龙头台积电和ASML的技术节点突破历史，以此作为参考。

表五：台积电与ASML关键节点时间表

从上面的时间表可以总结出这样的规律：光刻机厂商研制出第一台商用样机并交付下游合作厂商——2-3年后，第一台正式生产设备系统交付，光刻机成功量产——1-2年后，加工厂商成功消化设备并开始预产，此时光刻机厂商销量上涨——1年后，加工厂商实现量产——1年后，基于现有光刻技术改进工艺，量产出下一技术节点——2年后，量产再下一技术节点——再下一技术节点可能需要3-5年甚至更长。

表六：从光刻机样机到技术节点突破时间规律

因此，一般从研制出样机并交付，到代工厂最终实现相关制程量产，需要至少2+2+1=5年时间，就算考虑到中国的特殊情况，在多方努力配合之下，这一过程也需要至少4年时间。这么长的时间完全足够国内其他半导体设备厂商将产品制程推进至28/14nm左右。然而，目前国产28nm光刻机还完全没有消息，对于其报道多有失真，也没有权威的信息可以用来推测出样机交付时间。

值得注意的是，一般来说，通过多重图形工艺等方法，晶圆加工厂可以凭借自身的力量将技术节点推进至光刻机分辨率之下2-3代。例如，90nm光刻机不仅可以大量生产90nm制程，还能制造65nm、45nm制程，极限状态下甚至可以制造32nm制程。台积电就曾经凭借自己高超的工艺水平，在光刻机只有40nm左右分辨率的情况下，量产出了7nm制程芯片。也就是说，如果上海微电子能够完成28nm光刻机的研制（预计其分辨率应在40-45nm之间），中芯国际等加工厂就有机会在消化28nm生产工艺之后，再花上3年左右时间，实现14nm量产。

综上所述，在产能上，如果不出意外，预计到2024-2025年中国大陆28nm产能基本可以满足50%-70%的内需；在技术上，假设上海微电子可以在2022年完成首台样机交付，那么中国最早可以在2026-2027年完成28nm生产线完全国产化，并在2029-2030年完成14nm生产线完全国产化。如果上海微电子的研制进度不理想，则需依此递延。